کلیدواژه ها = | ||
تعداد مقالات: 1 | ||
1 | بررسی تأثیر توان توقف در حساسیت پرتویی نواحی مختلف یک ترانزیستور MOSFET نوع N با تکنولوژی65-nm در ایجاد اثرات تکحادثهای | |
معصومه سلیمانی نیا، غلامرضا رئیس علی* ، امیر مصلحی، غلامرضا رئیس علی | ||
مشاهده مقاله اصل مقاله 392.28 K |