بررسی تأثیر توان توقف در حساسیت پرتویی نواحی مختلف یک ترانزیستور MOSFET نوع N با تکنولوژی65-nm در ایجاد اثرات تک‌حادثه‌ای
پذیرفته شده برای پوستر ، صفحه 0-0 (1)
عنوان دوره: بیست و هفتم (1399)
کد مقاله : 1208-INC (R3)
نویسندگان
1سازمان انرژی اتمی
2عضو هیات علمی- سازمان انرژی اتمی
3عضو هیأت علمی- سازمان انرژی اتمی
چکیده
در این مقاله، اثرات تک‌حادثه‌ای (SEE) با برخورد یک رخداد پرتویی به ترانزیستور MOSFET نوع N با تکنولوژی 65 نانومتری مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور، نخست مدلی سه بعدی مبتنی بر تکنولوژی یاد شده مطابق با نقشه راه ITRS ارائه و پارامترهای تأثیرگذار بر تغییر رفتار منحنی مشخصه شناسایی شدند. به منظور تأیید صحت مدل برگزیده، منحنی مشخصه Id-Vg آن با داده‌های ارائه شده در یک مقاله مرجع، مقایسه شد. برای بررسی تأثیر پرتو بر جریان درین به عنوان الکترود خروجی، پرتو فرودی با توانهای توقف متفاوت به سه ناحیه درین، گیت و سورس تابانده شد. نتایج نشان دادند هر اندازه توان توقف بالاتر باشد، به دلیل تولید حاملهای بیشتر در ناحیه وسیع-تر، جریان گذرای ایجاد شده در خروجی به لحاظ دامنه افزایش می‌یابد و عرض پالس نیز بیشتر می‌شود. همچنین مشخص گردید که مستقل از مقدار توان توقف، همواره درین و گیت نواحی حساس‌تری به پرتوها نسبت به سورس هستند و حساسیت ناحیه درین با اختلاف ناچیزی از گیت هم بیشتر است که دلیل اصلی آن می‌تواند ناشی از وسیعتر بودن ناحیه نهی پیرامون درین باشد که جمع‌آوری حاملها را افزایش داده و موجب کاهش احتمال بازترکیب می‌گردد.
کلیدواژه ها
موضوعات