پذیرفته شده برای پوستر ، صفحه 0-0 (1) اصل مقاله (392.28 K)

عنوان دوره: بیست و هفتم (1399)

کد مقاله : 1208-INC (R3)

¹معصومه سلیمانی نیا؛ ²غلامرضا رئیس علی ؛ ³امیر مصلحی؛ غلامرضا رئیس علی

¹سازمان انرژی اتمی

²عضو هیات علمی- سازمان انرژی اتمی

³عضو هیأت علمی- سازمان انرژی اتمی

در این مقاله، اثرات تک‌حادثه‌ای (SEE) با برخورد یک رخداد پرتویی به ترانزیستور MOSFET نوع N با تکنولوژی 65 نانومتری مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور، نخست مدلی سه بعدی مبتنی بر تکنولوژی یاد شده مطابق با نقشه راه ITRS ارائه و پارامترهای تأثیرگذار بر تغییر رفتار منحنی مشخصه شناسایی شدند. به منظور تأیید صحت مدل برگزیده، منحنی مشخصه Id-Vg آن با داده‌های ارائه شده در یک مقاله مرجع، مقایسه شد. برای بررسی تأثیر پرتو بر جریان درین به عنوان الکترود خروجی، پرتو فرودی با توانهای توقف متفاوت به سه ناحیه درین، گیت و سورس تابانده شد. نتایج نشان دادند هر اندازه توان توقف بالاتر باشد، به دلیل تولید حاملهای بیشتر در ناحیه وسیع-تر، جریان گذرای ایجاد شده در خروجی به لحاظ دامنه افزایش می‌یابد و عرض پالس نیز بیشتر می‌شود. همچنین مشخص گردید که مستقل از مقدار توان توقف، همواره درین و گیت نواحی حساس‌تری به پرتوها نسبت به سورس هستند و حساسیت ناحیه درین با اختلاف ناچیزی از گیت هم بیشتر است که دلیل اصلی آن می‌تواند ناشی از وسیعتر بودن ناحیه نهی پیرامون درین باشد که جمع‌آوری حاملها را افزایش داده و موجب کاهش احتمال بازترکیب می‌گردد.

توان توقف؛ حساسیت پرتویی؛ ترانزیستور MOSFET نوع N با تکنولوژی 65 نانومتری؛ اثرات تک‌حادثه‌ای (SEE)

کاربرد پرتوها