نویسنده =
تعداد مقالات: 1

1 بررسی تأثیر توان توقف در حساسیت پرتویی نواحی مختلف یک ترانزیستور MOSFET نوع N با تکنولوژی65-nm در ایجاد اثرات تک‌حادثه‌ای
معصومه سلیمانی نیا، غلامرضا رئیس علی* ، امیر مصلحی، غلامرضا رئیس علی
مشاهده مقاله | اصل مقاله (392.28 K)