| کلیدواژه ها = ترانزیستور MOSFET نوع N با تکنولوژی 65 نانومتری | ||
| تعداد مقالات: 1 | ||
| 1 | بررسی تأثیر توان توقف در حساسیت پرتویی نواحی مختلف یک ترانزیستور MOSFET نوع N با تکنولوژی65-nm در ایجاد اثرات تک‌حادثه‌ای | |
| معصومه سلیمانی نیا؛ غلامرضا رئیس علی*؛ امیر مصلحی؛ غلامرضا رئیس علی | ||
| مشاهده مقاله | اصل مقاله (392.28 K) | ||