عنوان دوره: بیست و نهمین کنفرانس ملی هسته‌ای ایران

در این پژوهش، سطح مقطع به‌هم‌ریختگی‌های تک‌حادثه‌ای (SEU) به منظور بررسی حساسیت یک حافظه SRAM با تکنولوژی 65 نانومتری CMOS، نسبت به پروتون‌های موجود در مدار LEO (MeV 200- 6/0) تعیین شد. محاسبات با استفاده از ابزار شبیه‌ساز GEANT4 انجام شدند و یافته‌ها با یک کار تجربی مقایسه گردید. نتایج، تطابق قابل قبولی را نشان دادند که حاکی از بیشترین احتمال وقوع به‌هم‌ریختگی‌ها به ازای پروتون‌های کمتر از MeV 1 است. با افزایش انرژی پروتون‌، به‌هم‌ریختگی‌ها به نحو قابل ملاحظه‌ای کاهش می‌یابد. نتایج بررسی‌ها پیرامون سازوکار ایجاد به‌هم‌ریختگی‌ها نشان دادند که در انرژی‌های کمتر از MeV 1، یونش مستقیم پروتون‌ها و در انرژی‌های بالاتر اندرکنش‌های کشسان و ناکشسان پروتون با مواد سازنده قطعه الکترونیک، مکانیزم غالب به‌هم‌ریختگی می‌باشند. با توجه به طیف انرژی وسیع پروتون‌ها در مدار LEO، در مأموریت‌های فضایی که از حفاظ‌ برای فضاپیماها به منظور کاهش آسیب‌های ناشی ازاثرات انباشته در قطعات الکترونیک استفاده می‌شود، باید تأثیر آن‌ در افزایش یا کاهش میزان به‌هم‌ریختگی نیز مورد ارزیابی قرار گیرد.

به‌هم‌ریختگی تک‌حادثه‌ای (SEU)؛ پروتون‌‌های مدار LEO؛ حافظه SRAM با تکنولوژی نانومتری CMOS؛ Geant4