عنوان دوره: بیست و نهمین کنفرانس ملی هسته‌ای ایران

¹دانشکده مهندسی هسته ای

²سازمان انرژی اتمی

³دانشگاه شهید بهشتی

استفاده از ترانزیستورهای ماسفت به عنوان دزیمتر و برای اندازه‌گیری مقدار دز پرتوهای یونساز، کاربردهای وسیعی دارد. مقدار تغییرات ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت توسط پرتودهی، یکی از پارمترهای مهم در اندازه گیری دز تابشی می باشد. هدف از این کار، بررسی و مقایسه ترانزیستور های ماسفت نوع دیپ (DIP) و اس ام دی (SMD) از لحاظ پاسخ آنها در یک میدان پرتوی گاما و اندازه گیری میزان حساسیت آنها به عنوان یک دزیمتر می باشد. در این کار تجربی، جریان‌ الکتریکی و ولتاژ هر سه پایه ترانزیستور با دقت بالایی در بازه وسیعی از جاروب گیت قبل و بعد از پرتودهی ثبت و بررسی گردید. اختلاف مقدار ولتاژ آستانه قبل و بعد از پرتودهی، نشان دهنده مقدار جریان تابشی در ماسفت ها می باشد. پرتودهی ماسفت ها در این کار، در دز های 1-100 گری صورت گرفت. نتایج نشان داد که در محدوده دز های تا 40 گری، پاسخ برای قطعه CD4007 نوع DIP بیشتر از نوع SMD است و نوع N این قطعه دارای بیشترین حساسیت در حدود 18.74 mV/Gy است. در دز های بالاتر ( تا 100 گری) نیز نشان داد که پاسخ ترانزیستور های نوع P از ماسفت CD4007 از نوع SMD دارای حساسیت بیشتری از نوع N آن هستند و پاسخی به مراتب بالاتر (بیش از 20 برابر) از ترانزیستور BSS92 از نوع DIP دارند. خروجی ماسفت ها از هر دو نوع DIP و SMD نیز دارای روندی کاملا خطی در پاسخ دزیمتری هستند.

پرتوهای گاما؛ ترانزیستور ماسفت؛ دزیمتر؛ ولتاژ آستانه