تأثیر میدان مغناطیسی دانهای بر جذب برخوردی در رهیافت همجوشی مغناطو-لختی
پذیرفته شده برای پوستر ، صفحه 0-0 (1)
عنوان دوره: بیست و هفتم (1399)
کد مقاله : 1152-INC (R1)
نویسندگان
بخش فیزیک هستهای، دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد، یزد، ایران
چکیده
همجوشی مغناطو-لختی، همجوشی محصورشدگی لختی و همجوشی محصورشدگی مغناطیسی از جمله رویکردهای همجوشی هستهای بر روی زمین هستند. همجوشی مغناطو-لختی در مقایسه با همجوشی محصورشدگی لختی و همجوشی محصورشدگی مغناطیسی رهیافت کاملی است و شامل پلاسمای چگالی بالا در حضور میدانهای مغناطیسی قوی میباشد. همچنین کاهش رسانندگی الکترونهای گرمایشی و نهشت انرژی ذرات آلفا از جمله دیگر مزیتهای این همجوشی به شمار میرود. در این پژوهش، جذب برخوردی در یک پلاسمای مغناطیسی و غیرهمگن محاسبه شده است. برای این کار، از تئوری جنبشی و فرکانس برخورد کروک استفاده و سپس اثر طول موج لیزر و میدان مغناطیسی دانهای بر روی جذب برخوردی بررسی شده است. نتایج محاسبات نشان میدهند که در رهیافت همجوشی مغناطو-لختی، افزایش میزان جذب برخوردی در یک پلاسمای مغناطیسی و غیرهمگن، متناسب با طول موج کوتاه لیزر است و با میدان مغناطیسی دانهای به کندی تغییر میکند. درنتیجه میتوان از اثر میدان مغناطیسی دانهای بر روی جذب برخوردی (جذب تابش ترمزی معکوس) چشمپوشی کرد.
کلیدواژه ها
موضوعات